8月6日，TrendForce集邦咨询最新披露的存储颗粒现货报价再度牵动市场神经：DDR5 16Gb (2Gx8) 4800/5600现货均价较上一交易日上涨0.33%，DDR4 8Gb (1Gx8) 3200现货均价上涨0.30%，而DDR4 16Gb (2Gx8) 3200则与上日持平。单日涨幅看似温和，但将其置于“华强北DRAM单周暴涨14%、16GB DDR5内存套装一年内从450元飙至1800元”的宏观背景之下，一组关于本轮存储超级周期走向的关键信号正在浮出水面：涨价的斜率正在放缓，但结构性缺货与议价权转移的故事远未结束。
现货市场：DDR5领涨动能犹在，DRAM涨势整体趋缓
从8月6日的颗粒级报价来看，DRAM现货市场呈现出典型的“高端强、低端稳”分化格局。作为当前PC与服务器内存的主流规格，DDR5 16Gb颗粒延续了此前的上行通道，单日续涨0.33%；与之形成对照的是，上一代DDR4 16Gb颗粒价格按兵不动，而8Gb容量规格仅录得0.30%的微涨。
这一报价结构印证了TrendForce在8月5日发布的存储现货价格趋势报告中的判断：DRAM现货价格上涨势头自7月下旬以来已有所减弱，4Gb DDR4与2Gb DDR3等利基型产品仅在交易量有限的情况下小幅上涨。换言之，现货市场正从“普涨”切换至“精选上涨”模式，资金与需求加速向DDR5、大容量、服务器级产品集中。
值得注意的是，现货价的“减速”并不等于“见顶”。把时间轴拉长至周度维度，市场的体感温度截然不同——深圳华强北渠道数据显示，DRAM现货价格单周暴涨14%，主流1TB固态硬盘终端零售价从去年约410元飙升至950元，涨幅超过130%；16GB DDR5内存套装从450元涨至1800元，涨幅高达300%。现货批发价与终端零售价之间的联动，意味着涨价已从上游晶圆环节层层传导至消费者口袋。
NAND侧：基准价突破30美元，但反弹动能依然偏弱
与DRAM的“高位盘旋”相比，NAND闪存市场呈现出另一种温差。行业机构DRAMeXchange数据显示，受益于AI需求拉动，7月存储芯片价格持续走高，基准NAND产品价格已突破30美元关口，其中单层NAND产品售价环比大涨35%——这主要源于存储原厂将产能优先倾斜至适配AI算力的高端3D NAND，传统单层产品供给收缩带动报价上行。
然而，TrendForce本周跟踪数据显示，尽管512Gb TLC Wafer现货价格上涨了4.55%，但由于缺乏强劲的购买需求，NAND价格反弹势头依然疲软。这一“报价上行、成交清淡”的矛盾状态，暴露出消费级终端需求的真实疲态：渠道商囤货意愿下降、终端售价高企抑制换机需求，NAND的上涨更多是供给收缩驱动的“被动涨价”，而非需求拉动的“主动繁荣”。
超级周期进入“温和爬坡”：合约价、ASP数据全景透视
要理解现货市场的微妙变化，必须回到合约价与厂商ASP的宏观坐标。集邦咨询发布的存储器价格调查报告显示，2026年第二季度一般型DRAM合约价格环比增长58%至63%，NAND Flash合约价格环比增长70%至75%；7月DRAM合约价单月再涨约10%，累计季度涨幅达30%至50%，服务器DRAM价格持续刷新历史新高。厂商层面，SK海力士披露的DRAM平均售价（ASP）环比上涨约30%，NAND平均售价环比上涨约55%。
这一组数据勾勒出本轮超级周期的完整轨迹：从2025年末的低谷启动，历经数个季度的暴力拉升后，价格基数已处于历史高位。TrendForce预计，2026年第三季度DRAM与NAND Flash合约价将分别季增13%至18%和10%至15%，涨幅较前几季明显收敛。分析人士指出，原厂在经历数季大幅上涨后，后续涨幅必须考量终端客户的负担能力，季度环比涨幅自三季度起将明显放缓——这正是“温和爬坡”阶段的典型特征。
格局之变：三星重回榜首，长鑫成全球增长最快DRAM厂商
涨价周期同样是市场份额的洗牌期。Counterpoint Research于8月4日发布的全球存储追踪报告显示，三星以39%的市场份额在2026年第二季度重返全球DRAM市场第一，恢复至2024年水平；SK海力士市场份额由39%降至26%，美光则以25%的份额紧追不舍。
三星的“王者归来”，很大程度上受益于传统DRAM供应能力与价格优势——当HBM平均售价因HBM3E降价与HBM4延迟而承压时，传统DRAM的持续涨价反而成为三星利润的稳定器。与之相对，SK海力士因HBM营收占比最高、且更早签署长期供货协议（LTA），在涨价周期中反而损失了部分价格弹性。随着英伟达Vera Rubin与AMD Instinct MI455X服务器放量，HBM4产品在三季度开始出货，HBM价格跌幅有望收窄，竞争天平或将再度摆动。
更值得关注的是中国力量的崛起。长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商，受益于中国市场传统DRAM需求旺盛及产能持续扩张。据其招股书披露，2026年上半年预计营收达1100亿至1200亿元，同比增长612%至677%。华强北市场甚至传出消息，长鑫存储以不低于三星、SK海力士的价格拒绝苹果的降价要求，因华为、小米等中国厂商已通过高价长期协议锁定其产能——这被业界视为“国产芯片从价格追随者走向价格制定者”的标志性事件。
分歧与前瞻：市场在担忧什么？
然而，现货市场的温和上涨与产业链的乐观叙事，并未完全消除资本市场的焦虑。7月，SK海力士韩股单月最大回撤54%，三星电子最大回撤42%，美光最大回撤33%——即便巨头们交出创历史新高的季度业绩，股价依然遭遇“利好出尽”式杀跌。市场的核心分歧在于：本轮利润几乎全部源自“涨价”而非“出货量扩张”，一旦价格松动，利润崩塌的速度同样惊人。
从供需两端拆解，支撑逻辑依然坚实：微软、谷歌、亚马逊、Meta等云厂商2026年资本开支预期合计超过8000亿美元，AI服务器与数据中心建设为存储需求提供核心支撑；而供给端，原厂产能向HBM倾斜、三星与SK海力士将部分NAND产线转为DRAM，均限制了传统颗粒的增产空间。Wolfe Research分析师Chris Caso甚至判断，物理空间与基础设施的限制意味着供过于求最早要到2028年才可能出现。
结语：涨价斜率放缓，但周期尚未逆转
综合8月6日的颗粒报价与更宏观的行业数据，可以得出一个审慎而清晰的结论：存储芯片涨价周期正在从“陡峭上行”切换至“温和爬坡”，但远未进入下行通道。DRAM现货价格受AI服务器与CPU内存需求支撑，预计供不应求格局将延续至2027年；NAND则因消费需求疲软，反弹的持续性存疑。对采购方而言，价格高位震荡期的库存管理与长约谈判策略将比以往更加重要；对投资者而言，则需要同时警惕“涨价见顶”的预期差与“利基产品结构性涨价”的结构性机会。超级周期的下半场，温差与分化将是关键词。
