2026年8月5日，存储芯片现货市场迎来近期最显著的行情变化。据集邦咨询、闪存市场等多家机构午间发布的最新数据，DRAM现货价格在经历数周阴跌后全面反弹，其中DDR5颗粒涨幅居前；NAND Flash虽然整体仍处于低位，但止跌信号明显，部分规格甚至小幅回涨。这一轮价格异动背后，是AI服务器需求的持续释放与上游原厂产能调整的共振。
DRAM现货：DDR5领涨，DDR4跟风反弹
截至8月5日午间，主流DDR5 16Gb（2Gx8）颗粒现货均价报5.12美元，较昨日上涨3.2%，创下近一个月最大单日涨幅。DDR4 8Gb（1Gx8）颗粒均价也回升至2.28美元，涨幅达1.3%。服务器用DDR5 RDIMM模组价格同步跟涨，32GB套条报价突破95美元，渠道商反映部分原厂已释放四季度合约价上调信号。
市场人士分析，此次DRAM反弹主要由三大因素驱动：一是AI服务器与高端PC对DDR5的需求持续超预期，部分云厂商开始提前锁定大单；二是三星、SK海力士、美光已明确下半年削减DDR4产能，转产高利润的HBM與DDR5，导致标准型DRAM供给趋紧；三是渠道库存经过二季度去化后处于健康水位，贸易商补货意愿增强。
NAND Flash：止跌企稳，部分规格试探性涨价
NAND Flash现货市场同样出现积极信号。512Gb TLC颗粒报价连续两日持平于2.80美元，结束了此前长达三周的连跌；而256Gb TLC颗粒则小幅上涨1.1%至1.45美元。受此带动，部分中小厂商开始试探性调涨eMMC和UFS嵌入式存储报价，涨幅约2%-3%。
不过，消费级SSD终端价格仍然偏弱，渠道商仍在消化前期低价库存。1TB PCIe 4.0 SSD市场均价维持在42-45美元区间，与上周基本持平。相反，企业级SSD价格保持坚挺，由于AI服务器大量采用大容量企业级SSD，原厂订单已排至四季度。
市场解读：周期拐点是否已至？
多家券商分析师指出，DRAM现货价格的上涨具有领先意义。历史经验表明，现货价通常领先合约价1-2个月见底。若本轮涨势能延续至8月中旬，三季度合约价止跌甚至小幅回升的概率将大幅增加。然而，NAND市场整体仍处于供过于求状态，原厂减产效果尚未完全显现，消费级应用需求疲软仍是拖累价格的最大不确定因素。
值得注意的是，今日中国市场部分电子元器件交易平台的报价显示，国产DDR4颗粒价格同步走强，长鑫存储的CXMT 8Gb DDR4报价已从2.2元人民币上调至2.3元，反映国产存储替代进程正在加速。
后市展望：AI需求仍是核心主线
展望未来数周，存储芯片市场将进入传统备货旺季，叠加苹果、华为等终端厂商新品发布在即，移动端LPDDR5X和UFS 4.0需求有望回升。不过，业内人士也提醒，短期现货价格波动剧烈，不排除部分贸易商借机炒作，建议下游采购方保持审慎，结合库存与订单合理安排拉货节奏。
截至发稿时，DRAM现货价格仍有零星上调，NAND闪存颗粒报价则趋于稳定。我们将持续跟踪每日最新报价，为读者提供及时、准确的市场动态。
