一、市场概览：分化格局延续

2026年7月30日，存储芯片现货市场延续了上一季度的分化格局。DRAM方面，在经历长达数月的价格下挫后，DDR5与DDR4颗粒价格出现企稳迹象，部分规格甚至小幅反弹。NAND Flash方面，尽管整体仍处于下行通道，但跌幅显著收窄，市场普遍认为底部区间已近。与此同时，HBM（高带宽存储器）依旧炙手可热，价格维持高位，带动部分厂商加速产线转换，间接影响了消费级DRAM的供应。

二、DRAM现货价格：DDR5触底反弹，DDR4趋于稳定

据多家存储渠道商反馈，7月30日DDR5 16Gb (2GB) 颗粒现货均价报3.85美元，较前一周上涨1.3%；DDR5 8Gb颗粒报2.10美元，涨幅约0.5%。这是近两个月来DDR5首次出现周度上涨。分析认为，推动因素包括：1) 下游PC OEM厂商在Q3备货旺季前开始补库存；2) 部分模组厂提前低价建仓，带动询单量增加；3) 上游原厂（如三星、SK海力士）持续将部分DDR5产能转向HBM3E，使得标准DDR5供给量边际收紧。

DDR4方面，DDR4 16Gb颗粒报价维持在2.45美元左右，DDR4 8Gb颗粒报1.50美元，近两周持平。由于DDR4已进入产品生命周期末期，需求稳定下滑，但供给端同样在收缩，价格呈现窄幅震荡格局。服务器用DDR5 RDIMM价格在AI服务器订单的支撑下保持坚挺，32GB RDIMM模组报价约105美元，较上月持平。

三、NAND Flash现货价格：跌幅收窄至1%以内

NAND Flash市场在7月最后一周迎来喘息。根据集邦咨询等机构的数据，7月30日512Gb TLC颗粒现货均价报2.85美元，周跌幅0.7%；256Gb TLC颗粒报1.60美元，跌幅0.9%。对比6月同期3%-5%的周跌幅，当前跌势已大幅放缓。不过，下游需求仍未见明显复苏，消费级SSD价格继续下滑，512GB NVMe SSD渠道价已跌破35美元。

值得注意的是，原厂在NAND方面的减产效果开始显现。三星、SK海力士、美光等自Q2启动的减产计划（合计减产约15%）逐步传导至现货市场，供给过剩局面有所缓解。但库存消化仍需时间，预计Q3末价格有望企稳。

四、HBM持续“虹吸”，消费级供应承压

HBM市场持续火爆，驱动因素无疑是AI大模型的训练与推理需求。英伟达、AMD等客户对HBM3E的需求强劲，使得三星、SK海力士将部分先进制程产能（如DDR5、LPDDR5X）转为HBM生产。这导致消费级DRAM的供应增量受限，尤其是DDR5产能趋紧。有模组厂商表示，虽然需求端仍弱，但供应端的收缩为价格提供了底部支撑，预计Q4消费级DRAM价格有望回升。

五、行业解读与展望

综合来看，存储芯片市场的“冰火两重天”格局短期不会改变。一方面，受益于AI服务器等高附加值场景的HBM、DDR5 RDIMM等产品将维持高景气；另一方面，手机、PC等传统消费电子需求疲软，库存去化仍在路上。自2024年底以来的存储下行周期已持续超一年半，目前DRAM和NAND价格均已接近历史低位，进一步下行空间有限。对于采购商而言，当前或是一个逐步布局的窗口期，可适当增加低风险中长单比例。对于投资者，需关注Q3终端旺季兑现情况以及原厂扩产转向动态。

本文数据来源：集邦咨询、DRAMeXchange、部分渠道报价，截至2026年7月30日。