NAND闪存市场持续承压，价格创年内新低

2026年7月29日，存储芯片市场传来最新动态：NAND闪存价格在经历数月下跌后，仍未出现止跌迹象。据行业调研机构集邦咨询（TrendForce）最新数据，7月28日主流512Gb TLC NAND颗粒现货均价已跌至2.48美元，较月初下跌8.5%，较去年同期暴跌32%。与此同时，1Tb QLC颗粒价格也跌破4美元关口，市场悲观情绪弥漫。

这一轮价格下跌主要源于消费电子需求疲软。智能手机、PC等终端出货量持续走低，而NAND厂商此前扩产的产能仍在释放，导致供过于求加剧。尽管AI服务器对高容量SSD有一定拉动，但整体需求无法消化庞大的库存。更令市场担忧的是，下游模组厂和渠道商普遍采取去库存策略，进一步压缩了现货交易量。

三星、SK海力士紧急收缩产能

面对价格快速下挫，两大NAND巨头率先做出反应。7月28日，三星电子发布声明称，将调整其平泽工厂和中国西安工厂的NAND产线，部分产线转为设备维护或缩减投片量，预计整体NAND产能将减少约12%。这是三星自2024年以来首次明确减产，此前其一直通过优化产品结构而非直接减产来应对。

紧随其后，SK海力士于29日宣布，将大幅降低其M16工厂的NAND产量，并推迟下一代300层NAND的量产时间线。SK海力士表示，短期内将优先消化现有库存，新产能投资节奏将根据市场需求动态调整。外界估计，其减产幅度可能在10%-15%之间。

两家巨头的减产计划合计影响全球NAND产能约12%-15%，若其他厂商跟进，有望在第三季度末缓解供需矛盾。不过，市场普遍认为减产效果需要2-3个月才能显现，短期内价格仍将承压。

DRAM与HBM形成鲜明对比

与NAND的惨淡行情不同，DRAM市场呈现分化。一方面，消费级DDR4和DDR5内存颗粒价格在7月下旬出现小幅反弹，涨幅约3%-5%，主要得益于服务器内存需求回暖以及部分PC OEM补库存。另一方面，HBM（高带宽内存）市场持续火爆，HBM3E 12层堆叠产品报价已从年初的15美元/Gb飙升至21美元/Gb，涨幅达40%，且仍然供不应求。AI芯片巨头英伟达、AMD对HBM的强势需求，使得三星、SK海力士和Micron的HBM产能被预定一空。

有趣的是，三星和SK海力士的减产计划主要针对传统NAND，而非HBM或DRAM。这表明厂商正在有策略地将资源转移至高附加值领域。集邦咨询分析师指出，NAND减产短期内将拖累营收，但有助于重建市场信心，避免价格崩盘。长期来看，随着AI推理端对高容量存储的需求增长，NAND市场有望在2027年迎来复苏。

现货市场报价速览（2026-07-29）

以下为主要存储芯片最新现货价格参考：

  • 512Gb TLC NAND颗粒：2.48美元（-1.2%日跌）
  • 1Tb QLC NAND颗粒：3.92美元（-0.8%日跌）
  • DDR5 16Gb (2GB) 颗粒：4.35美元（+0.5%日涨）
  • DDR4 8Gb (1GB) 颗粒：1.82美元（+0.3%日涨）
  • HBM3E 8层堆栈：165美元/颗（持平）
  • HBM3E 12层堆栈：248美元/颗（+2.1%周涨）

数据来源：集邦咨询、DRAMeXchange、IC Insights。

后市展望：减产能否成为转折点？

对于NAND后市，业内存在分歧。乐观派认为，三星和SK海力士的减产态度明确，且若美光、西部数据/铠侠跟进，供给端收缩将有效支撑价格。按照历史规律，减产信息公布后4-8周，现货价格通常会止跌企稳。悲观派则指出，当前库存水位依然较高，下游需求复苏乏力，减产可能只是减缓跌速而非扭转趋势。

对采购商而言，当前是低价锁定长单的窗口期，但需警惕价格进一步下跌风险。建议密切关注厂商产能动态及终端需求指标，灵活调整采购策略。对投资者而言，NAND相关个股短期承压，但减产利好龙头企业长期竞争力，可逢低布局。

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